AMD 展示最强 AI 加速器 MI455X：台积电 2nm 工艺、3200 亿晶体管、432GB HBM4

在旧金山举办的 Advancing AI 2026 大会上，AMD 公司董事长兼 CEO 苏姿丰公布了其下一代 AI 加速器 Instinct MI455X 的更多细节。

Instinct MI455X GPU 采用台积电的 2N GAA（环绕栅极）工艺制造，并集成 3200 亿个晶体管。该加速器采用了先进的 chiplet 设计，包含 4 个加速器复合芯粒（XCD），通过混合键合技术堆叠在 Fabric 与缓存芯粒（FCD）之上。两个 FCD 均采用台积电的 CoWoS-L 技术封装，并连接 6 个 HBM4 堆和 2 个 I/O Die。

AMD 在 XCD 上使用了台积电最先进的 2N GAA 工艺，以优化功耗和性能；而 FCD 和 I/O Die 则采用了台积电的 N3P 工艺。

在 CDNA 5 架构方面，AMD 将加速器复杂芯片（Accelerator Complex Die）的基本构建单元从“计算单元”（Compute Unit）重新命名为“工作组处理器”（Work Group Processor）。MI455X 的 WGP 数量与前代 MI355X 保持一致，仍为 256 个。架构上的一个重要调整是将波前（wavefront）宽度从 64 位改为 32 位，AMD 表示此举旨在降低指令延迟和寄存器压力，并增强与不同 AI tensor tile 交互的灵活性。

CDNA 5 架构的片上缓存层级也进行了重构，取消了前代的无限缓存，转而为每个 FCD 配置 96MB 的共享 L2 缓存，总计达到 192MB。

在计算性能方面，MI455X 的理论峰值算力显著提升。对于低精度推理格式，其 OCP MXFP4 性能可达 40.26 PFLOPS，理论上比 MI355X 快四倍。与英伟达 Rubin 对比，MI455X 的 FP32 性能达到 315 TFLOPS，在某些场景下优于英伟达的 Rubin。此外，AMD 还改进了超越数学单元，其吞吐量较 CDNA 4 翻倍，能够加速 softmax 等关键 AI 函数。

内存系统是 MI455X 的一个突出亮点。该加速器总共配备 12 堆栈 HBM4，提供 432GB 的容量和 23.3 TB/s 的带宽。这超过了英伟达 Rubin GPU 的初始规格，后者为 288GB HBM4 和最高 22 TB/s 的带宽。在 72 个 MI455X GPU 组成的 Helios 机架规模下，AMD 方案可聚合 31.1 TB 的显存，比英伟达 Vera Rubin 的 20.7 TB 总容量高出 50%。

全新的 Helios 机架级架构首次实现了将 72 个 MI455X GPU 的显存整合到一个统一的相干域，这是 AMD 在与英伟达 NVL72 竞争中的一项重要举措。结合 CDNA 5 架构中改进的张量数据搬运单元和新增的多播读取支持，AMD 致力于提升芯片内部的数据移动效率。